TP44100SG - TAGORE TECHNOLOGY - GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 22-PowerVFQFN |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | - |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 11mA |
Tedarikçi Paketleme | 22-QFN (5x7) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 0V, 6V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 3 nC @ 6 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 110 pF @ 400 V |