TK2R9E10PL,S1X - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | 175°C |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 306W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-220 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 9500 pF @ 50 V |