FDV302P - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 25V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.7V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 350mW (Ta) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23 |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |