TK62N60X,S1F - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 61.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 21A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 3.1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6500pF @ 300V |
Fet Özelliği | Super Junction |
Maksimum Güç Tüketimi | 400W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-247 |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |