SIDR402DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8DC |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 9100 pF @ 20 V |