TK12A50D(STA4,Q,M) - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 45W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-220SIS |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |