IPB011N04NGATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 250W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 200µA |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-7-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 20000 pF @ 20 V |