FDS2670 - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1228 pF @ 100 V |