FDP047AN08A0 - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 75V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 138nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 310W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220-3 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |