IPP041N12N3GXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 100A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 300W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 270µA |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 120 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |