SIJA22DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 64A (Ta), 201A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.74mOhm @ 20A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 4.8W (Ta), 48W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -16V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 25 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6500 pF @ 15 V |