SI1012CR-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V SC75A | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | SC-75, SOT-416 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 240mW (Ta) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SC-75A |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.5V, 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 2 nC @ 8 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 43 pF @ 10 V |