IRF9610PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 20W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |