IPT054N15N5ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - TRENCH >=100V PG-HSOF-8 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 143A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 8V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.6V @ 181µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5300 pF @ 75 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 250W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8 |
Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |