IGT60R070D1ATMA4 - INFINEON TECHNOLOGIES - GANFET N-CH | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | - |
Maksimum Gain Source Gerilimi | -10V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 380 pF @ 400 V |