IMZA120R020M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 98A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 26.9mOhm @ 41A, 18V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.2V @ 17.6mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 109 nC @ 18 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -5V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3460 pF @ 800 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 375W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-4-8 |
Paket / Kılıf | TO-247-4 |