FDC642P - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 925pF @ 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 1.6W (Ta) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SuperSOT™-6 |
Paket / Kılıf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |