TPN4R712MD,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 65 nC @ 5 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 42W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |