SUD23N06-31-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 21.4A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 15A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 670 pF @ 25 V |