SQJ457EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 68W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 |
Derece | Automotive |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |