SIHA14N60E-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 600V | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 309mOhm @ 7A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 147W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-220 Full Pack |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1205 pF @ 100 V |