IMW120R040M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 54.4mOhm @ 19.3A, 18V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 227W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.2V @ 10mA |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-3 |
Derece | - |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -5V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 51 nC @ 18 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1620 pF @ 800 V |
Kalifikasyon | - |